Samsung готов к производству 10-нм полупроводников

Компания Samsung похоже вырвалась в лидеры рынка полупроводникового производства не только по количеству выпускаемой продукции, но и по технологии. Представители компании заявили о готовности к производству чипсетов, выполненных по 10-нм техпроцессу, раньше чем прямой конкурент TSMC и признанный лидер разработок Intel. Уже анонсирована разработка платформы с 10-нм процессором, 128 МБ кэшем и S-RAM памятью, что говорит о том, что в компании вплотную приблизились к созданию 10-нм системы на кристалле для мобильных телефонов. Переход к новому уровню технологии обещает многочисленные преимущества, включая уменьшение размера чипа на 40%, при сохранении производительности и уменьшении потребления энергии.



Компания Intel обещала представить первые 10-нм образцы в 2017 году. Планы TSMC также известны и они явно отстают от сроков Samsung. В 2016 году компания создаст производственные линии с 10-нм FinFET технологией, а первые серийные 10-нм чипсеты появятся уже в начале 2017 года. Вполне вероятно, что Samsung Galaxy S8 станет первым аппаратом с 10-нм процессором, тогда как в случае Galaxy S7 речь идет о новом поколени процессоров на 14-нм техпроцессе.